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　　光刻工藝其實(shí)就是一系列圖形轉(zhuǎn)移的過(guò)程，類似于照片印刷。首先，通過(guò)特定方式將版圖轉(zhuǎn)移到掩膜版表面。光刻過(guò)程中，光線透過(guò)掩膜版在硅片表面的光刻膠中形成掩膜圖形空間像，光刻膠感光后，經(jīng)過(guò)定影顯影的步驟后將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，而后經(jīng)過(guò)若干步驟再將掩膜圖形從光刻膠表面轉(zhuǎn)移到硅片表面，最終實(shí)現(xiàn)版圖圖形向硅片表面的轉(zhuǎn)移，然而，由于作業(yè)物理系統(tǒng)和實(shí)際環(huán)境的各種限制，這種圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程不可能會(huì)是完全精確的，通常存在各種畸變。光刻過(guò)程中增加激光線寬使空間成像質(zhì)量變差，較大的線寬也導(dǎo)致了曝光寬容度的損失。