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　　在集成電路制造中，光刻技術(shù)是利用光學(xué)、化學(xué)、物流的一系列反應(yīng)原理和方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成目標(biāo)功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度不斷縮小，光刻掩膜版技術(shù)已然成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

　　亞10nm結(jié)構(gòu)微納加工中采用的光刻技術(shù)就是超高精度光刻技術(shù)。多種光刻技術(shù)中，激光直寫屬一種高性價比的光刻技術(shù)，可利用激光在非真空的條件下實現(xiàn)無掩模快速刻寫。

　　換言之，超高精度激光光刻是不需要掩膜版就能實現(xiàn)圖形刻寫的。但由于激光直寫技術(shù)受衍射極限以及鄰近效應(yīng)的限制，還很難做到納米尺度的超高精度加工。